[MicroChemicals] AZ IPS-6090 Photoresist

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AZ® IPS-6090은 고종횡비(High Aspect Ratio) 패턴 형성에 적합한 화학 증폭형 i-line sensitive ultra-thick photoresist입니다.

AZ® IPS-6090은 약 15~50 µm의 레지스트 막 두께 범위를 지원합니다. 화학 증폭형 포토레지스트이므로 Softbake와 Exposure 사이에 Rehydration가 필요하지 않습니다. 또한 동일한 두께의 비화학 증폭형 포토레지스트와 비교하여 훨씬 낮은 노광량으로 사용할 수 있으며, 노광 과정에서 질소가 발생하지 않아 레지스트 막 내부에 기포가 형성되지 않습니다. 두꺼운 레지스트에서도 매우 높은 현상 속도를 제공하여 비화학 증폭형 후막 레지스트에 비해 전체 공정을 더욱 빠르고 안정적으로 수행할 수 있습니다.

AZ® IPS-6090은 일반적인 기판 재료에 대한 우수한 접착력을 나타내며, 가파른 레지스트 측벽 형성이 가능하여 전해 도금(Galvanic Molding) 공정에 특히 적합합니다. 기본적으로 i-line에 감광성을 갖지만, 적절하게 높은 노광량과 레지스트 막 두께를 적용하면 h-line(405 nm)도 사용할 수 있습니다.

화학 증폭형 포토레지스트의 경우 PEB(Post Exposure Bake, 노광 후 베이크)는 선택 사항이 아니라 필수 공정입니다. 노광 과정에서 유도된 광화학 반응을 완전히 진행시켜 후속 현상이 가능하도록 하기 때문입니다. 약 15 µm보다 얇은 포토레지스트 막이 필요한 경우, AZ® IPS-6090은 PGMEA(AZ® EBR Solvent)를 사용하여 쉽게 희석할 수 있습니다.

화학 증폭형 포토레지스트인 AZ® IPS-6090의 현상에는 TMAH 기반 현상액을 권장합니다. 대표적으로 즉시 사용 가능한 AZ® 326 MIF 및 AZ® 726 MIF를 사용할 수 있습니다. KOH 또는 NaOH 기반 현상액인 AZ® 400K 및 AZ® 351B는 AZ® IPS-6090에는 적합성이 낮습니다.

플라즈마 공정, 이온 주입 또는 고온 공정(약 140°C 이상)에 의해 레지스트 구조가 열적으로 가교되지 않은 경우, AZ® 100 Remover, DMSO 및 기타 다양한 유기용제를 사용하여 레지스트층을 제거할 수 있습니다. 예를 들어 아세톤으로 제거한 후 이소프로판올(IPA)로 세정하는 방법을 사용할 수 있습니다.

가교된 레지스트 구조의 경우에는 TechniStrip P1316 또는 AZ® 920 Remover와 같은 고성능 스트리퍼를 권장합니다. 알루미늄과 같이 알칼리에 민감한 기판 재료에는 TechniStrip MLO 07을 권장합니다.

스핀 코팅 과정에서 레지스트를 희석해야 하는 경우 PGMEA(AZ® EBR Solvent)를 사용할 수 있습니다. PGMEA는 AZ® IPS-6090에 사용되는 용매이기도 하며, 필요한 경우 에지 비드(Edge Bead) 제거에도 권장됩니다.

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